ケイデンス、Samsung Foundryの先端ノードプロセステクノロジに向けた広範な次世代メモリ規格への対応を発表

 

■要旨:

 ●ケイデンス、Samsung 7LPP プロセスで DDR5/4 PHY IPを、Samsung 14LPP プロセスでGDDR6 PHY IPを、さらにHBM2 PHY IPをSamsung 10LPPプロセスおよび再キャラクタライズのうえ8LPPプロセスでテープアウト、

 ●高帯域幅アプリケーション向けに開発されたケイデンスのGDDR6 PHY IP、Samsung 7LPPプロセス上でシリコン動作を確認

 ●ケイデンス、コントローラー、PHY、VIP(検証IP)を1社で提供するシングルベンダーソリューションによりチップ統合を加速し、相互運用のリスクを低減

 ケイデンス・デザイン・システムズ社(本社:米国カリフォルニア州サンノゼ市、以下、ケイデンス)は、5月14日(米国現地時間)、高帯域幅アプリケーションをターゲットとするSamsung Foundryの様々な先端プロセステクノロジに対応する広範なメモリIPソリューションを発表しました。

 ケイデンスは、長年にわたるSamsung Foundryとの協業により、Samsung 7nm Low Power Plus(7LPP)プロセスでDDR5/4 PHY IPを、Samsung 14nm Low Power Plus(14LPP)プロセスでGDDR6 PHY IPを、さらに2.4G High-Bandwidth Memory 2(HBM2)PHY IPをSamsung 10nm Low Power Plus(10LPP)プロセスおよび再キャラクタライズのうえ8LPPプロセスでテープアウトしました。さらに、GDDR6向けのPHY IPがSamsung 7LPP プロセス上でシリコン動作を確認されました。ケイデンスとSamsungのお客様は、安心してケイデンスのDRAMインターフェイスIPを利用することができるSamsung Foundryの先端プロセステクノロジを使用し、デザイン開発を開始することができます。

 GDDR6 PHYおよびDDR5/4向けのケイデンスIPの詳細については、 http://www.cadence.com/go/samsungddrip をご参照ください。

 HBM2 PHY向けのケイデンスIPの詳細については、 http://www.cadence.com/go/samsunghbm2ip をご参照ください。

 ※以下は添付リリースを参照

 

 

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添付リリース

https://release.nikkei.co.jp/attach_file/0509531_01.pdf