安全動作領域を改善し、オン抵抗を削減したパワーMOSFET
[画像のクリックで拡大表示]

 オランダNexperia社は、安全動作領域(SOA:Safe Operating Area)を改善すると同時にオン抵抗を削減した+100V耐圧パワーMOSFET「PSMN3R7-100BSE」を発売した(ニュースリリース)。nチャネル品である。安全動作領域は、一般的な製品と比較すると4倍に拡大したという(リニアモード性能において)。オン抵抗については、同社従来品に比べて18%削減し、最大値で3.95mΩ、標準値の3.36mΩを実現した(ゲート-ソース間電圧が+10Vのとき)。ホットスワップ(活線挿抜)や負荷スイッチ、ソフトスタート、電子ヒューズ(e-fuse)などの用途に向ける。

 最大ドレイン電流は連続時に120A、パルス時に780Aである。全ゲート電荷量は246nC(標準値)。入力容量は16370pF(最大値)。出力容量は887pF(最大値)。帰還容量は494pF(最大値)。ゲート抵抗は0.98Ω(標準値)ターンオフ時の遅延時間は60ns(最大値)、ターンオフ時は147ns(最大値)。立ち上がり時間は97ns(最大値)、立ち下がり時間は104ns(最大値)。ソース-ドレイン間のダイオードの逆リカバリー時間は91ns(最大値)で、リカバリー容量は254nC(最大値)である。パッケージは外形寸法が11mm×10mm×4.3mmのD2PAK。動作接合部温度範囲は−55〜+175℃。すでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。