独Infineon Technologies(インフィニオン)社は、+1200V耐圧のSiC(炭化ケイ素)ショットキー・バリアー・ダイオードの新シリーズ「CoolSiC Schottky 1200 V G5」を発売した(ニュースリリース)。パッケージは2端子TO-247である。沿面距離と空間距離のどちらも8.7mmを確保しており、劣悪な環境においても高い信頼性を得られるという。順方向電流が異なる5製品を用意した。具体的には、10A品、15A品、20A品、30A品、40A品である。電気自動車(EV)の充電器のほか、太陽光発電システム用インバーター装置、無停電電源装置(UPS)、溶接機、産業用電子機器向け電源装置などに向ける。

+1200V耐圧のSiCショットキー・バリアー・ダイオードの新シリーズ「CoolSiC Schottky 1200 V G5」。インフィニオンの写真
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 特徴は、適用した電源装置の変換効率を高められる点にある。例えば、IGBTやスーパージャンクション型パワーMOSFETと組み合わせて使用した場合、Si製ダイオードを使ったきときに比べて変換効率を1ポイント高められるという。さらに、力率改善回路(PFC)やDC-DCコンバーターに適用した場合、出力電力を従来に比べて40%程度増やせるとしている。

 例えば、40A品である「IDWD40G120C5」の特性は以下の通り。連続の順方向電流は、+156℃時に40A、+25℃時に110Aである。順方向電圧は、標準値が1.4V、最大値が1.65Vといずれも低い。逆方向電流は332μA(最大値)。端子間電荷量は202nC(標準値)。端子間容量は146pF(標準値)。動作温度範囲は−55〜+175℃である。

 5製品すべて、現在販売中。いずれも価格は明らかにしていない。