富士通と富士通研究所は、SiC基板に単結晶ダイヤモンドを常温で接合する技術を開発した。両社によれば、同技術の開発は世界で初めてだという。5G(第5世代移動通信)で使う高出力GaN HEMTの放熱に同技術を活用することで、高出力での安定動作が可能になるとする。

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