東京エレクトロン(TEL)と米Spin Transfer Technologies(STT)社は、次世代MRAMデバイスの実現に向けて協業契約を結んだ。協業によって、かつてない高速、高密度、書き換え寿命を備えた不揮発性メモリーデバイス開発が加速されるという。

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