東北大学と米バージニア大学、テネシー大学は2016年10月3日、スピン凍結状態中の記憶効果(メモリー効果)を詳細に調べることにより、フラストレート磁性体の示すスピンの凍結状態と、ランダム系のスピングラス状態は、本質的に異なるエネルギーランドスケープ(エネルギー構造)を持つことを解明したと発表した。

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