ベンチャー企業のFLOSFIA(本社・京都)と京都大学のグループは、「酸化ガリウム」によるパワートランジスタ実現に必要なp型層の作製に成功した。酸化ガリウムは、次世代のパワー半導体材料として開発が進むSiC(シリコンカーバイド)やGaN(窒化ガリウム)よりも、高耐圧で低損失なパワーデバイスを安価に作製できる可能性があるとして、注目を集めている材料である。酸化ガリウムのうち、同グループが手掛けるのは、「コランダム」と呼ばれる結晶構造を備えた「α型」。今回、α型酸化ガリウムと同じコランダム構造を備えた酸化イリジウムで、p型層を実現した。これにより、酸化ガリウムを適用したパワーMOSFETの作製が可能になるという。

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