産業技術総合研究所(産総研)は2016年9月20日、同機関で開発した単結晶酸化ガリウム(Ga2O3)の成膜プロセスを用いて、Ga2O3をトンネル障壁層とした単結晶トンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発したと発表した。メモリー機能の性能指数である磁気抵抗変化率(MR比)が室温で92%と極めて大きく、メモリー機能を持つ縦型のスピン電界効果型トランジスタ(縦型スピンFET)の基本構造となると期待されるもので、待機電力ゼロのノーマリー・オフ・コンピューターへの貢献が期待される。92%というMR比は半導体系TMR素子として室温における世界最高性能という。

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