東京工業大学と東北大学らの研究グループは2016年9月8日、酸化ハフニウム基強誘電体について、電源を切った時に貯められる電気の量や使用可能な温度範囲といった基礎特性を解明したと発表した。薄膜化しても強誘電性が劣化しないため、超高密度で高速動作する不揮発性メモリーの実現が期待される。

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