東北大学らの研究グループは、相変化メモリーの新材料として、既存の材料とは逆の電気特性を示す相変化材料(Cr2Ge2Te6)を開発した(ニュースリリース)。新材料を用いて相変化メモリー(記憶素子)を作製したところ、フラッシュメモリーを上回る高温データ保持性や高速動作性を維持しながら、データ書き込み時の消費電力を90%以上低減できることを実証したという。

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