米Alpha and Omega Semiconductor社は、オン抵抗が3.6mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)と低い+100V耐圧のパワーMOSFET「AONS66916」を発売した。nチャネル品である。同社独自のパワーMOSFET技術「AlphaSGT2(Alpha Shield Gate Technology Generation 2)」で製造した。従来技術である「AlphaSGT1」で製造したパワーMOSFETと比較するとオン抵抗を最大で30%削減することに成功したという。さらに、オン抵抗とゲート電荷量の積で求まる性能指数(FOM:Figure Of Merit)は「業界最高レベル」(同社)としている。絶縁型DC-DCコンバーターやAC-DCコンバーターの1次側スイッチング回路や2次側同期整流回路などに向ける。

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