米Alpha and Omega Semiconductor社は、電力損失を10%、実装面積を14%削減できる電池保護回路向けMOSFET「AOC3860」を発売した。2個のnチャネル型MOSFETをドレイン共通で接続したものだ。耐圧は+12Vである。ソース-ソース間のオン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+4.5Vのときに2.15mΩ(標準値)、 +2.5Vのときに2.25mΩ(標準値)と小さい。このため、電池保護用MOSFETにおける電力損失を10%削減できるわけだ。この結果、多くの充電電流を流せるようになるため、より高速な急速充電が可能になる。スマートフォンなどに向ける。

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