米Littelfuse社は、オン抵抗が80mΩ(標準値)と小さい+1200V耐圧のSiC(炭化ケイ素)製MOSFET「LSIC1MO120E0080シリーズ」を発売した。同社が株式の51%を取得した米Monolith Semiconductor社が開発した製品である。SiC MOSFETの製品化は今回が初めてとなる。特徴は、「超高速なスイッチング用途に最適化した点にある。このため、高効率で高密度の電源装置を実現できる」(同社)という。IGBTの置き換えを狙う。具体的なアプリケーションとしては、太陽光発電向けインバーター装置や、スイッチング電源、無停電電源装置(UPS)、モーター駆動機器、高電圧対応のDC-DCコンバーターなどを挙げている。

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