独Infineon Technologies社は、同社の第6世代品当たる+650V耐圧のSiC(炭化ケイ素)ショットキー・バリアー・ダイオード「CoolSiC G6」を発売した。素子レイアウトやセル構造、新しいショットキー接合手法などを採用することで、前世代品に比べて、性能指数(FOM:Figure of Merit)を17%低減したという。+600V耐圧や+650V耐圧のスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFETと組み合わせて使用することで、信頼性の向上や変換効率の改善などを実現できるとしている。サーバーやパソコン、通信機器の電源回路のほか、太陽光発電システム用インバーター装置などに向ける。

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