米Fairchild Semiconductor社は、同社の前世代品(SuperFET II)に比べてオン抵抗を44%削減した+650V耐圧のnチャネル型パワーMOSFET「SuperFET IIIファミリー」を発売した。スーパージャンクション(SJ)構造を採用する。オン抵抗が低いため、電源回路に適用した場合は変換効率を高めることが可能になる。耐久性も高めた。シングルパルス・アバランシェ・エネルギー(EAS)は競合他社品に比べて約3倍に相当する2025mJと高い。さらに放射電磁雑音(EMI)は、競合他社製品に比べて低く抑えたとする。通信機器やサーバー、電気自動車(EV)向け充電器、太陽光発電システムなど向ける。

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