NRAMの製品イメージ(写真:Nantero社)

 富士通セミコンダクターと三重富士通セミコンダクターは2016年8月31日、不揮発性メモリー技術「NRAM」を開発元の米Nantero社からライセンスを受け、商品化に向けた共同開発を進めると発表した。富士通セミコンダクターは2018年末までに55nm世代のNRAM混載カスタムLSIの商品化を目指すとする。一方、ファウンドリー事業を展開する三重富士通セミコンダクターは、同事業の顧客向けにNRAM技術を提供する予定だという。

 NRAMはランダムに絡み合ったカーボンナノチューブ(CNT)を利用した抵抗変化型不揮発性メモリー。特徴は多くの点で高い水準の性能を期待できることだ(表1)。例えば、NRAMは書き換え可能回数が1011回以上と多い。書き換え速度は、STTMRAMに匹敵する速さで、データ保持時間は非常に長い。CNT層は常温常圧で形成可能で製造は容易である。

表1 NRAMと既存の不揮発性メモリーとの性能比較
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