日立化成は「SEMICON Japan 2017」(2017年12月13~15日、東京ビッグサイト)で半導体後工程に向けた新しい実装工程を提案した。(1)メモリーなどのTSV(シリコン貫通ビア)積層チップ実装向け、(2)WLCSP(Level Chip Scale Package)向け、(3)フリップチップ実装向けのものだ。いずれも、チップ間の接続信頼性を高めたり、チップを複数個まとめて一括で処理することでスループットを向上させたりする技術で、生産効率の向上につながるとする。

チップ間接続とモールドの順序を逆転

TSVメモリーの積層チップはNCFとモールド樹脂でがっちり抑えてから接続
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 (1)はHBM(High Bandwidth Memory)のメモリーなど、TSVを持つチップを積層する用途に向けたもの。従来はチップを積層後、熱圧着やリフローでチップ間の接点を接続してからモールド樹脂で封止していたが、順序を逆転し、モールド樹脂で封止してからリフローで接点を接続する方法を提案している。特に不利となる点はなく、モールド樹脂で圧力を加えたままリフローできるため、チップ浮きを防いで接続を確実にできるとする。また、最終的なチップ反りなども制御しやすくなるという。

 用いるのは、同プロセスに最適化したNCF(非導電性フィルム、ウエハープロセス用アンダーフィルフィルム)とモールドコンパウンド。カッパーピラーとはんだボールを形成した状態のウエハーにNCFをラミネートし、個片化した後、はんだボールが下側になるように反転させ(フリップチップ)、ボトムウエハーのランド(端子)にはんだボールが接するように仮置きする。同様の工程を積層するチップ分繰り返し、オーバーモールドしてからリフローにかけることで、はんだを溶融させてチップ間を接続する。現在、既存材料を基に最適な材料を評価中という。

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