今回のコラムは、パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体テスト技術者検定2級(パワーデバイス)」の予想問題を紹介する(本コラムの詳細はこちら、PDEAについてはこちら、半導体テスト技術者検定の教科書についてはこちら、検定の問題集についてはこちら)。

 本稿で紹介するのは、半導体技術者検定2級(パワーデバイス)に関する問題の中から、パワーMOSFETの特性オン抵抗である。この抵抗はパワーMOSFETの特性を決定するのに基本となる非常に重要なパラメーターである。検定に合格するには、ぜひ正解しておきたい問題である。

 今回の問題の難易度は、★★である(本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい)。標準よりやや易しいレベルの問題である。

【問題】 難易度:★★

 次の文章の空欄( )に入る正しい言葉の組み合わせを(1)~(4)の中から選びなさい。

 パワーMOSFETの特性オン抵抗は、オン時の(ア)の(イ)を(ウ)あたりに換算したものである。従って、特性オン抵抗は、(ア)の(イ)に(エ)を掛けたものである。

  • (1)ア:1セルあたり イ:チャネル抵抗 ウ:単位面積 エ:全セルの面積
  • (2)ア:全セル イ:全抵抗 ウ:1セル エ:1セルの面積
  • (3)ア:1セルあたり イ:全抵抗 ウ:単位面積 エ:1セルの面積
  • (4)ア:全セル イ:チャネル抵抗 ウ:1セル エ:全セルの面積

(注)パワーMOSFETは各セルから成っており、各セルは全て並列接続されている。

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