今回の本コラムでは、パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体テスト技術者検定」の過去問題を紹介する(本コラムの詳細はこちら、PDEAについてはこちら、半導体テスト技術者検定の教科書についてはこちら、検定の問題集についてはこちら)。

 本稿で紹介するのは、SRAM(Static Random Access Memory)の「リードサイクル」である。LSIに搭載されるメモリーとして、SRAMは一般的に使われている。リードサイクルは、SRAMの格納データにアクセスするための基本サイクルの1つである。

 今回の問題を検定で出題したところ、正答率は48%だった。問題の難易度は★★★★であり、本コラムで紹介する過去問題としては久しぶりの“難問”である(本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい)。問題をよく読んで、じっくりと考えてほしい。

【問題10】難易度:★★★★

次の中から、SRAMのリードサイクルに関して正しい記述を選びなさい。

(1) /CS(チップセレクト)信号がHighレベルの間に入力されたアドレス値によって、メモリーセルが選択される。

(2) /CS(チップセレクト)信号をHighレベルにしたままの状態で、/OE(アウトプットイネーブル)信号をLowレベルにし、かつ/WE(ライトイネーブル)信号をHighレベルの状態にすることにより、I/Oピンからデータを読み出すことができる。

(3) /CS(チップセレクト)信号をLowレベルにしたままの状態で、/OE(アウトプットイネーブル)信号をLowレベルにし、かつ/WE(ライトイネーブル)信号をHighレベルの状態にすることにより、I/Oピンからデータを読み出すことができる。

(4) /CS(チップセレクト)信号をLowレベルにしたままの状態で、/OE(アウトプットイネーブル)信号をLowレベルにし、かつ/WE(ライトイネーブル)信号をLowレベルの状態にすることにより、I/Oピンからデータを読み出すことができる。

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