今回もパワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体テスト技術者検定」の問題を紹介する。今回は久しぶりに新作問題である(本コラムの詳細はこちら、PDEAについてはこちら)。

 今回紹介するのはマーチングテストに関する問題。マーチングテストはメモリーの代表的なテスト項目の1つであり、その他の代表的なテスト項目にはウォーキングテストやギャロッピングテストもある。メモリーアレーに描かれる0/1のパターンをイメージしているが、なかなか面白いネーミングである。

 今回の問題の難易度は★★★(本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい)。この問題を正解できると合格の可能性がぐっと高まる。最後の解説までじっくり読んで参考にしていただきたい。

【問題7】難易度:★★★

 次の文章を読んで( )内に入る正しい言葉の組み合わせを(1)~(4)の中から選びなさい。

 メモリーをテストするマーチングテスト(MARCH C)では次の操作を実行する。

(S1) 全メモリーセルに0を書き込む。
(S2) アドレス#0から昇順にアドレスを変化させ、選択したメモリーセルから0を読み出し、1を書き込む。
(S3) アドレス#0から昇順にアドレスを変化させ、選択したメモリーセルから1を読み出し、0を書き込む。
(S4) 全メモリーセルから書き込まれた値を読み出す。
(S5) 最終アドレスから降順にアドレスを変化させ、操作(2)と同様にメモリーセルを読み書きする。
(S6) 最終アドレスから降順にアドレスを変化させ、操作(3)と同様にメモリーセルを読み書きする。
(S7) 全メモリーセルから書き込まれた値を読み出す。

従って、アドレス数をNとすると、「0読み出し」、「1読み出し」、「0書き込み」、「1書き込み」の回数は、それぞれ、( ア )、( イ )、( ウ )、( エ )となる。

  (1)  ア:2N  イ:2N  ウ:2N  エ:2N

  (2)  ア:4N  イ:2N  ウ:3N  エ:2N

  (3)  ア:3N  イ:3N  ウ:2N  エ:2N

  (4)  ア:4N  イ:3N  ウ:2N  エ:3N

この先は会員の登録が必要です。有料会員(月額プラン)は申し込み初月無料!