米Fairchild Semiconductor社は、中耐圧パワーMOSFETの品ぞろえを拡充した。発売したのは、150V耐圧のpチャネル品である「FDMC86261P」と、100V耐圧のpチャネル品である「FDMC86139P」の2つ。両製品の特徴は、オン抵抗とゲート電荷量の積であるFOM(figure of merit)が高いことである。競合他社品と比べると約67%上回るという。このため、これらのパワーMOSFETを電源回路に適用すれば、導通損失を約46%、スイッチング損失を約38%削減できる。アクティブクランプ回路用スイッチや、負荷スイッチなどに向ける。

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