米Fairchild Semiconductor社は、コレクタ・エミッタ間の飽和電圧(VCE(Sat))を+1.8V(標準値)に低減した+1200V耐圧の絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGBT)を発売した。フィールド・ストップ層を形成したトレンチ型のIGBTである。ノン・パンチ・スルー(NPT)構造を採用する。特徴は、「スイッチング速度が高いにもかかわらず、飽和電圧が低いこと。高速動作の+1200V耐圧品の中では、飽和電圧が業界で最も低い」(同社)という。太陽光発電システム向けインバータ装置や、無停電電源装置(UPS)、溶接機などに向ける。

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