伊仏合弁STMicroelectronics社は、2012年6月11日(現地時間)に、同社が開発したFD-SOI(完全空乏層SOI)技術を使った半導体製品を米GLOBALFOUNDRIES, Inc.でも製造することで両社間で合意した、と発表した。GLOBALFOUNDRIESでは、28nmと20nmノードでFD-SOIデバイスを製造することになる。

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