「3次元NANDフラッシュ・メモリといえども、スケーリングが欠かせない」――。このようなシミュレーション結果を、中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科 教授の竹内健氏らの研究グループが報告する。2012年5月20~23日にイタリアのミラノで開催中の「International Memory Workshop(IMW)」で発表する。

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