「IEDM 2010」の開幕初日のセッションでは,遮断周波数が200GHzの大台を超えるグラフェンFETの発表が,韓国Samsung Advanced Institute of Technology(SAIT)や米IBM Corp.から相次いだ。いずれも高周波のRFデバイスへの応用を狙ったものである。

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