早稲田大学とNTT物性科学基礎研究所,東北大学は共同で,MOSトランジスタ中の数十個のチャネル不純物の分布がトランジスタ特性に与える影響を解析した(講演番号26.5)。不純物原子を1個ずつチャネルに注入する「単一原子ドーピング(single atom doping)技術」を利用することにより,さまざまなチャネル不純物分布を備えるデバイスを作製し,その特性を計測した。従来,チャネル不純物の分布がトランジスタ特性に与える影響については,理論計算を用いて解析した事例が多かった。

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