日本で次世代メモリの大型共同開発プロジェクトがスタートする。エルピーダメモリ,シャープ,東京大学,産業技術総合研究所が,Gビット級の抵抗変化型メモリ(ReRAM)を共同開発する。シャープが持つ抵抗変化素子などの材料技術と,エルピーダメモリが有するメモリの大量生産技術などを組み合わせる。

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