「2009 Symposium on VLSI Circuits」のSession 8「Special Non-Volatile Memories」では,東京大学らによるNAND接続の強誘電体メモリ,東北大学らの磁性メモリを用いた高速起動のFPGA,台湾ITRIらの高速書き込み可能なReRAM,日立製作所らによるスピン注入型の磁性メモリであるSPRAMと,NANDフラッシュ・メモリとは異なる新材料の不揮発性メモリが4件登場した。

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