産業技術総合研究所(産総研)は東京大学と共同で,強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)を用いたNANDフラッシュ・メモリのメモリ・セルを作製した。1億回以上の書き換えが可能で,書き込み電圧は6V以下と低い。従来のNANDフラッシュ・メモリのメモリ・セルは,書き換え可能な回数が1万回,書き込み電圧が20Vだった。従来のNANDフラッシュ・メモリの微細化は30nm世代程度が限界といわれるのに対して,今回作製したメモリ・セルの技術は,将来の20nm世代や10nm世代のプロセス技術にも対応できるという。

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