SIJテクノロジとハリマ化成,松下電器産業は「nano tech 2008」において,インクジェット技術で形成する微細バンプを利用し,LEDの放熱特性を高める技術を出展した。この技術は,金(Au)ナノ粒子を分散したインクをインクジェット技術でパッケージの基板上に多数個形成し,その上にLEDチップを実装するというもの。LEDチップと基板の設置面積が広がり,かつLEDチップと基板間の距離が縮まることで,LEDチップの放熱性が向上するという。説明員によれば,目標はLEDチップ面積に占めるバンプ面積を現在の20%から50%に,LEDチップと基板の距離を現在の25μmから10μmに近づけ,1モジュールから2200lmの光束を取り出せる白色LEDの実現を目指すという。この程度の光束を1モジュールから取り出すことを考えると,今回の技術のように放熱方法を大きく見直す必要が出てくるとみる。

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