「2005 Symposium on VLSI Technology」の「Advanced Memories I/II」のセッションでは,新規不揮発性メモリーの発表が相次いだ。強誘電体メモリー(FeRAM),MRAMはいずれも0.3μm2を切るセル・サイズの試作が報告され,大容量化に向け技術が進歩している。

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