LSIの性能向上に向けて,検査・解析技術の重要性が高まっている。ひずみSiや低誘電率(low-k)膜,高誘電率(high-k)膜,メタル・ゲートといった新たな材料や構造が本格的に導入されるためである。さらに,プロセスの要であるリソグラフィ技術も液浸露光へと変化する。65~45nmで新たに必要となる検査・解析技術とはどのようなものか。連載で明らかにする。

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出典:2007年5月号~11月号 日経マイクロデバイス
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