NAND型フラッシュ・メモリーが,技術進化の分岐点に差し掛かっている。これまで大容量化と低コスト化をけん引してきた微細化が,早ければ2012年に1Xnm世代で限界を迎える。微細化に代わって進化の主役となるのが,セルの3次元積層である。ここに来て,多くの層を一括形成でき,プロセス・コストを抑えられる3次元積層技術の完成度が高まってきた。これにより,Tビット品を低コストに量産する道が見えてきた。

出典:Cover Story
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