Cu 配線,SOI(silicon on insulator),ひずみSi…。半導体プロセス技術の分野でこれまで数々の革新技術を実用化してきた米IBM Corp.が,またしても大仕事をやってのけた。論理LSI内部の配線間を,現在の低誘電率(low-k )層間絶縁膜の代わりに「真空」で絶縁するプロセス技術の実用化にメドを付けた。半導体業 界で「Airgap(空隙)」と呼ばれる技術である。比誘電率が約1と極めて低い「真空」を使って配線間を絶縁することにより,配線間の容量を従来に比べて劇的に削減できる。

出典:特報
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