米Micron Technology社とソニーの共同グループは、27nm世代の16GビットReRAM(抵抗変化型メモリー)を開発し、「International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)2014」(2014年2月9~13日、米国サンフランシスコ)で発表した[講演番号19.7]。DRAMとNANDフラッシュメモリーの速度ギャップを埋めるストレージクラスメモリー(SCM)への応用を目指す。

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