エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月4日、統合化を容易にするため、業界をリードするエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)・デバイスをウエハーの形で提供すると発表しました。当社のeGaN(r) FETとICはこれまで、切り出したチップを、はんだバーまたははんだバンプを備えたチップスケール・デバイスとして販売していました。

チップスケール・パッケージは、パワー・トランジスタの抵抗、インダクタンス、サイズ、熱インピーダンス、およびコストを削減するより効率的なパッケージ形態です。eGaNデバイスのこれらの特質は、競争力のある価格で比類のない回路内特性を可能にします。

これらのデバイスをウエハー・レベルで提供することで、ユーザーのパワー・システムのサブアセンブリへの統合が容易になり、デバイスの相互接続インダクタンスと、プリント回路基板で必要になる隙間のスペースをさらに減らすことができます。これによって、効率と電力密度の両方が向上すると同時に、組み立てコストが削減されます。

「当社のパートナの声に耳を傾け、業界をリードする当社のGaN製品を、さまざまなアセンブリ技術や用途に対応できるウエハーの形で提供できることを嬉しく思います」とCEO(最高経営責任者)で共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語っています。

EPCは、はんだバンプの有無にかかわらず、ウエハーの形でeGaNパワー・デバイスを提供します。ウエハーの薄型化、ウエハー裏面の金属化処理、裏面のコーティング・テープの貼り付けなどの特別なサービスも利用できます。詳細については、epc-co.com / epc / Product / WaferSales.aspxを参照してください。

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン (eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。日本語ウエブサイトはwww.epc-co.com/epc/jp/です。eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先 :Efficient Power Conversion Corporation

Winnie Wong (winnie.wong@epc-co.com