EPCは、すでに製品化したEPC2045、EPC2052、EPC2051に加えて、耐圧100 V、最大オン抵抗3.8 mΩのeGaN(r) FETであるEPC2053を製品化し、GaNトランジスタの100 Vファミリーを拡張しました。48 V入力の高性能DC-DC変換を、より高効率、より小型、より低コストで実現できます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年4月8日、eGaN FET「EPC2053」(最大オン抵抗3.8 mΩ、耐圧100 V)を製品化したと発表しました。窒化ガリウム・トランジスタの市販品のコストを低価格化し、性能を向上しました。

このデバイスと、すでに製品化したEPC2045(7 mΩ、100 V)、EPC2052(13.5 mΩ、100 V)、およびEPC2051(25 mΩ、100 V)とで、幅広い電力レベルに対応した包括的な100 V製品ファミリーになります。48 Vのサーバー、48 Vの自動車、54 Vのデータセンターといったアプリケーションの需要拡大に対応する価格帯にしました。100 Vファミリーのこの他のアプリケーションには、48 V入力でオープン・ラック・サーバー・アーキテクチャを負荷とする1段の電源回路、USB-C、精密モーター駆動、LED(発光ダイオード)照明、Lidar(光による検出と距離の測定)などがあります。

100 VのeGaN FETファミリー、最高クラスの48 V入力DC-DC向け

この最新世代の100 VのGaNデバイスは、48 Vの電力変換の効率を高め、サイズを縮小し、システム・コストを低減します。
EPCの共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、「48 V入力の変換において、GaNは、性能向上に非常に大きく貢献します。この市場は、人工知能(AI)、クラウド・コンピューティング、先進的な高性能モーター駆動などの複数のアプリケーションで急拡大している市場です。さらに、車載システムは、12 V系の分配システムから48 V系システムへと移行しており、Lidar、レーダー、カメラ、超音波センサーを備えた自動運転車の出現に寄与しています。当社の100 V製品ファミリーは、48 Vのすべての回路構成において、GaN FETとICによって非常に高い効率と非常に低いコストが実現できることを実証します」と述べています。
48 V = GaN
48 V入力のすべての回路構成において、静電容量が小さくサイズが小さいGaNデバイスを使うと最高レベルの効率が得られます。GaNパワー・トランジスタの最近の低価格化に伴って、今、同等のシリコン・ベースのコンバータとのコスト比較が、すべての最先端ソリューションでのGaNデバイス採用の追い風となっています。

97%以上の効率を実現できる2種の新しいリファレンス・デザインと5種のデモ・ボードを用意しました。これらの最新世代の100 VのeGaN FETの性能が高いことを確認できます。

デモ・ボードのEPC9138は、スイッチング周波数400 kHz、入力電圧48 V、出力電流15 Aのバック(降圧型)・コンバータで、耐圧100 VのEPC2053を搭載しています。デモ・ボードEPC9141は、スイッチング周波数400 kHz、入力電圧48 V、出力電流10 Aのバック・コンバータで、100 VのEPC2045を搭載しています。

EPC9138とEPC9141は、いずれも電力密度において最高級のシリコン・ベースのソリューションを凌駕し、これまで以上の高性能化、小型化、低コスト化を実現できます。

100 Vファミリーの各デバイスの回路内特性を簡単に評価するための標準的なハーフブリッジ開発基板も用意しています。開発基板EPC9093はEPC2053を、EPC9078とEPC9205はEPC2045を、EPC9092はEPC2052を、EPC9091はEPC2051をサポートしています。

いずれの製品も米Digi-Key社のウエブサイト(http://www.digikey.com/en/supplier-centers/e/epc?WT.z_cid=sp_917_supplier)で入手できます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン (eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
日本語ウエブサイトはwww.epc-co.com/epc/jp/です。
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です

報道関係の問い合わせ先
Efficient Power Conversion
Winnie Wong (Winnie.wong@epc-co.com)