―― 同等のシリコンよりも1/30と小型、500 kHzで効率97%を実現

EPC2051は、超小型のチップスケール・パッケージ封止で、37 Aのパルスを出力可能な耐圧100 V、最大オン抵抗25 mΩのパワー・トランジスタであり、電源システム設計者向けです。この新しいデバイスは、48 Vの電力変換器、LiDAR(光による検出と距離の測定)、LED(発光ダイオード)照明などのアプリケーションに最適です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年9月18日、最大オン抵抗 RDS(on)が25 mΩ、パルス出力電流37 Aで耐圧100 VのGaNトランジスタ「EPC2051」を発売しました。面積が1.1 mm2と小型で高効率の電力変換を実現します。

高効率と高電力密度を要求するアプリケーションにおいて、もはやサイズと特性のどちらかを選択する必要はありません。EPC2051の実装面積は、わずか1.30 mm×0.85 mm(1.1 mm2)です。実装面積が小さいにもかかわらず、 50 V入力、12 V出力のバック(降圧型)・コンバータで動作するEPC2051は、500 kHzでスイッチングするとき、4 A出力で97%の効率を実現しています。さらに、EPC2051は安価なので、シリコンMOSFETに匹敵する価格でGaN FETの特性が得られます。この特性、小型、低コストというメリットを受けるアプリケーションには、コンピュータや通信システム用の48 V入力のパワー・コンバータ、LiDAR(光による検出と距離の測定)、LED(発光ダイオード)照明、D級オーディオなどがあります。

「高周波で高効率に動作するeGaNベースのパワー・デバイスの能力は、特性とコストに関して、シリコンとのギャップを広げます。この100VのEPC2051は、最も特性が近いシリコンMOSFETに比べて面瀬が1/30と小型です」とEPCのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語っています。

開発基板

開発基板のEPC9091は、最大デバイス電圧100 Vのハーフブリッジで、EPC2051や台湾uPI Semiconductorのゲート・ドライバUP1966Aを搭載しています。この基板の面瀬は2 インチ×2インチ(50.8 mm×50.8 mm)で、スイッチング特性を最適化するように設計されており、100 Vの eGaN FET であるEPC2051の評価を容易にするためのすべての重要な部品を備えています。

米国での参考価格と購入方法

eGaN FET のEPC2051の1000個購入時の単価は0.67米ドル、10万個購入時で0.37ドルです。開発基板のEPC9091の単価は118.75ドルです。

いずれの製品も米Digi-Keyのウエブサイト(http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=ja)で購入できます。

EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。ウエブサイトは、http://epc-co.com/epc/jp/です。eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。