エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN(r))のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年6月22日、30 A以上の高共鳴ワイヤレス・パワー受信器向けの同期整流用FETのE級整流器、および面積3 cm2以下に収めた120 Aで10 ns以下のパルスを発生できるキロワット・レベルのレーザー・ドライバのソリューションに関する知識交換のために、中国の上海でパワー・マネージメント(電源管理)の設計技術者と懇談すると発表しました。

中国の上海のGuozhan Road 1099にあるShanghai World Expo Exhibition and Convention Center の1階の第2展示ホールで開催されるパワー・マネ-ジメントの展示会PCIM Asia Exhibition and Conferenceにおいて、2018年6月26日(火)午前10時〜午前10時50分に、パワー・マネ-ジメントについてEPCのエキスパートと懇談しましょう。

EPCのアプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデントのMichael de Rooij博士は、30 W以上の高共鳴ワイヤレス・パワー受信器向けの同期整流用FETのE級整流器の提案について技術者と現地で懇談する予定です。この提案では、E級構成における同期整流スイッチのGaN FETが、従来のフルブリッジ・ショットキー・ダイオードを凌駕することを示します。

EPCのアプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタのJohn Glaser博士は、eGaN FETを使って、面積を3 cm2以下に収め、120 Aで10 ns以下のパルスを発生できるキロワット・レベルのレーザー・ドライバについて現地で技術者と懇談します。LiDARの主なアプリケーションには、リアルタイムの先進運転支援システム(ADAS:Advanced Driver Assistance System)で障害を回避する運行機能や自動運転車のナビゲーションがあります。このプレゼンテーションでは、4 kW以上のピーク・レーザー入力電力に対して、レーザー・ダイオードに、持続時間が10 ns以下で120 A以上のピーク電流パルスを供給できる1個の市販のGaN FETを使うレーザー・ドライバについて説明します。ドライバとレーザーが占める面積は3cm2以下です。

PCIM Asia 2018の詳細については、https://pcimasia-expo.cn.messefrankfurt.com/shanghai/en/visitors/the-conference/events/conference_agenda/keynote-for-tuesday.htmlをご覧ください。

EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。ウエブサイトは、http://epc-co.com/epc/jp/です。

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。