Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧350 VのeGaNパワー・トランジスタを発売:同等のシリコン品に比べて面積が1/20と小型

EPC2050は、電源システム設計者向けの製品で、非常に小型のチップスケール・パッケージに収めた耐圧350 V、最大オン抵抗65 mΩ、最大パルス電流26 Aのパワー・トランジスタです。この新しいデバイスは、マルチレベル・コンバータ、電気自動車の充電、太陽光発電用インバータ、モーター駆動などのアプリケーションに最適です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年4月24日、最大オン抵抗 RDS(on)が65 mΩ、最大パルス出力電流26 Aで耐圧350 VのGaNトランジスタ「EPC2050」を発売しました。用途には、電気自動車(EV)の充電、太陽光発電用インバータ、モーター駆動、通信機器やサーバーの電源用の400 V入力、48 V出力の3レベルLLCコンバータなどのマルチレベル・コンバータ構成などがあります。

EPC2050の面積は、わずか1.95 mm×1.95 mm(3.72 mm 2)と小型です。設計者は、大きさか、性能かのどちらかを選択する必要がなくなりました ―― 両方を実現できます! EPC2050は小型なので、ゲート・ドライバと共に高効率のハーフブリッジを構成すると、同等のシリコン・ソリューションに比べて面積が1/5で済みます。チップスケール・パッケージ封止のEPC2050は、小さいにもかかわらず、プラスチック・パッケージ封止のMOSFETよりも効率的に熱を処理できます。

EPCのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、「eGaN技術とシリコンとの性能とコストの差は、350 VのEPC2050でも拡大しています。すなわち、最も類似のシリコンMOSFETに比べて約1/20も小型です」と語っています。

開発基板

開発基板のEPC9084は、最大デバイス電圧350 VのEPC2050を使ったハーフブリッジ構成で、米シリコン・ラボラトリーズ社のゲート・ドライバSi8274GB1-IM を搭載しています。この基板の面積は、2インチ×1.5インチ(51 mm×38 mm)で、350 VのeGaN FET であるEPC2050の評価を容易にするためのすべての重要な部品を搭載し、スイッチング特性を最適化するように設計されています。

米国での参考価格と購入方法
eGaN FETであるEPC2050の1000個購入時の単価は3.19米ドル、開発基板EPC9084の単価は118.75ドルです。

いずれの製品も、米Digi-Key社のウエブサイト(https://www.digikey.jp/ja/supplier-centers/e/epc?WT.z_cid=sp_917_supplier)で購入でき、即座に配送されます。

EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。ウエブサイトは、http://epc-co.com/epc/jp/です。eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation: Winnie Wong (winnie.wong@epc-co.com)

350 V耐圧eGaNパワートランジスタ