米Microchip Technology(マイクロチップ)社は、SiC(炭化ケイ素)パワーデバイスの品ぞろえを拡充した(ニュースリリース)。今回発売したのは、700V耐圧のパワーMOSFET、および700V耐圧と1200V耐圧のショットキー・バリアー・ダイオード(SBD)である。電気自動車(EV)や再生可能エネルギー対応機器などに向ける。なお、SiCパワーデバイスの開発は、同社が2018年3月に83億5000万米ドルで買収した米Microsemi社が担当する。現在、Microsemi社は、Micropchip社の完全子会社となっている。

SiC(炭化ケイ素)パワーデバイスの品ぞろえを拡充。Microchip Technologyのイメージ
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 今回発売したのは、耐圧や定格電流、パッケージなどが異なる約35製品である。いずれもすでに、量産出荷を始めている。同社によると、「当社のSiCパワーデバイスを使えば、高いスイッチング周波数における変換効率を高められると同時に、長期信頼性に関する耐久テストをクリアしやすくなる」という。例えば、同社のSiCショットキー・バリアー・ダイオードは、耐久テストの1つであるUIS(Unclamped Inductive Switching 、クランプされていない誘導性スイッチング)テストにおいて、競合他社品の耐久性を約20%上回るとしている。SiCパワーMOSFETについても、10万回の繰り返しUISテスト後の劣化はほとんどなく、高いゲート酸化膜のシールド効果とチャネルインテグリティーが得られているという。

 いずれの製品も、価格は明らかにしていない。このほか、SiCパワーデバイスのSPICEモデルや、SiCゲートドライバーICを搭載したリファレンス設計、力率改善(PFC)回路用リファレンス設計なども用意している。