オランダNexperia社は、外形寸法が8mm×8mm×1.6mmと小さいLFPAK88パッケージに封止した+40V耐圧のnチャネル型MOSFETを発売した(ニュースリリース)。最大ドレイン電流は425Aと大きく、オン抵抗は0.7mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)と低い。同社によると、「D2PAKやD2PAK-7に封止した製品に比べると実装面積を60%、実装高さを64%削減できる。電力密度は、D2PAK品を使った場合に比べて最大で48倍高められる」という。こうした高い電力密度が得られる理由は、パッケージ内部の構造にある。D2PAKやD2PAK-7では、ボンディングワイヤーを使ってMOSFETダイとリードフレームを接続していた。一方、LFPAK88では銅グリップとはんだを使って接続する。この結果、電気抵抗と熱抵抗を下げることができ、電力密度を高められたとしている。

LFPAK88パッケージに封止した+40V耐圧のnチャネル型MOSFET。Nexperiaの写真
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 車載用ディスクリート半導体の品質規格「AEC-Q101」に準拠する。具体的な応用先には、電動ブレーキや電動パワーステアリング、バッテリーの逆接続保護素子、車載用48V入力DC-DCコンバーターなどの車載機器のほか、携帯型電動工具や通信インフラ向け電源モジュール、LED照明器具などの産業機器を挙げている。

 同社独自の「Trench 9 Super Junction」技術で製造した。最大ドレイン電流が425Aで、オン抵抗が0.7mΩの「BUK7S0R7-40H」の特性は以下の通り。ゲート-ソース間のしきい値電圧は+3V(標準値)。全ゲート電荷量は144nC(標準値)。入力容量は11228pF(標準値)。出力容量は2363pF(標準値)。帰還容量は415pF(標準値)。ゲート抵抗は1.2Ω(標準値)。動作接合部温度範囲は−55〜+175℃である。

 このほか、オン抵抗が0.9mΩや1.0mΩの製品も用意している。いずれも価格は明らかにしていない。