米Alpha & Omega Semiconductor社は、GaN(窒化ガリウム)トランジスタ市場に参入した(ニュースリリース)。今回発売したのは、+650V耐圧品「AONV070V65G1」である。同社の技術プラットフォーム「αGAN」に基づいた最初の製品である。基板にはSi(シリコン、ケイ素)を使い、素子構造には外付け部品を接続することなくノーマリーオフを実現するエンハンストモードを採用した。同社によると、「Si材料を使った一般的なパワーMOSFETに比べると、ダイ寸法は50%減に、ゲート電荷量は1/10にでき、さらにボディーダイオードの逆回復電荷量を排除できる」という。通信機器やサーバー、民生機器などの電源回路に向ける。例えば、サーバーの電源回路に適用すると、放熱に対する要求レベルを下げられるほか、ラックサイズの縮小や電力コストの削減を実現できるとしている。

米Alpha & Omega Semiconductor社がGaN(窒化ガリウム)トランジスタ市場に参入
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 発売したGaNトランジスタは実装面積が8mm×8mmの8端子DFN(DFN8x8)パッケージに封止した、最大ドレイン電流は連続時に16A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+6Vのときに70mΩ(標準値)と小さい。全ゲート電荷量は6.9nC(標準値)。入力容量は203pF(標準値)出力容量は58pF(標準値)。帰還容量は1.5pF(標準値)。ゲート抵抗は10Ω(標準値)である。ターンオン時の遅延時間は2.4ns(標準値)、ターンオフ時は6.2ns(標準値)。ターンオン時の立ち上がり時間は5.4ns(標準値)、ターンオフ時の立ち下がり時間は14.2ns(標準値)。出力コンデンサーの蓄積エネルギー(EOSS)は6μJと少ない。動作接合部温度範囲は−55〜+150℃。すでに量産を始めている。1万個購入時の米国での参考単価は8.00米ドルである。