韓国サムスン(Samsung Electronics)は、第3世代10nmクラスプロセス(1z-nmプロセス)を使うDDR4型DRAMの量産準備が整ったと発表した(ニュースリリース)。1z-nmプロセスはメモリー向けとしては業界で最も微細な製造技術で、同プロセスでの量産は業界で初めてだとする。

今回の新製品。Samsungの写真
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 Samsungは、第1世代10nmプロセス(1x-nm)を使うDDR4型DRAMの量産を2016年4月に(関連記事1)、第2世代10nmプロセス(1y-nm)を使うDDR4型DRAMの量産を2017年12月に(関連記事2)それぞれ開始しており、今回の発表はこれに続くもの。第3世代の1z-nmプロセスはEUV露光は使わずに、1y-nmプロセスと比較して20%ほど生産効率が高いという。

 同社は2019年下期から、この1z-nmプロセスを使う8GビットDDR4型DRAMチップの量産を開始する予定。同時に、このチップを複数を搭載した8GバイトのDRAMモジュールのCPUメーカーによる検証が始まるという。1z-nmプロセスのDDR4型DRAMチップは、2020年に出荷されるエンタープライズサーバーやハイエンドPCに利用される予定である。

 また当初は、1z-nmプロセスで作るDDR4型DRAMは8Gビット品だが、顧客ニーズにあわせてより高容量の製品なども提供していくとする。同社はさらに1z-nmプロセスを、DDR5型やLPDDR5型、GDDR6型といった将来のDRAM製品の製造にも使う予定である。