米Texas Instruments(TI)社は、システム監視/保護機能を内蔵したIGBT/SiCパワーMOSFET用絶縁ゲートドライバーIC「UCC217xxファミリー」を発売した(ニュースリリース)。SiO2層を使って絶縁を確保する容量性絶縁技術を採用した。絶縁動作電圧は1.5kVRMS、サージに対する耐圧は12.8kVを確保した。耐圧が最大1700VのIGBTとSiCパワーMOSFETの駆動に使える。電気自動車のトラクション用インバーターや車載用充電器(オンボードチャージャー)、充電ステーション、サーバーや通信機器の電源モジュール、無停電電源装置(UPS)、太陽光発電用インバーター、モーター駆動機器などに向ける。

システム監視/保護機能を内蔵のIGBT/SiC MOSFET用絶縁ゲート駆動IC
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 ゲートドライバーの出力電圧範囲は+13〜33V。ピーク駆動能力は±10Aである。伝搬遅延時間は90ns。瞬時コモンモード除去電圧(CMTI)は150V/nsを確保した。バッファー回路とセンシング回路を集積しており、温度や電流、電圧を監視できる。この監視結果を使って、IGBT/SiCパワーMOSFETの故障を防止する機能を搭載した。同社によると、「IGBT/SiCパワーMOSFETでは、システム監視/保護機能の内蔵は業界初」という。

 車載用半導体ICの品質規格「AEC-Q100」に準拠した「UCC21710-Q1/UCC21732-Q1」。AEC-Q100に準拠していない「UCC21750」を用意した。3製品いずれも、安全規格として「UL1577」規格やDIN規格に準拠する予定という。電源電圧範囲は+3〜5.5V。パッケージは16端子SOP。動作温度範囲は−40〜+125℃。1000個購入時の米国での参考単価は、UCC21710-Q1/UCC21732-Q1が4.00米ドル、UCC21750が3.48米ドルである。