伊仏合弁STMicroelectronics(STマイクロ)社は、ファスト・リカバリー・ボディー・ダイオードを内蔵した+600V耐圧のスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFET「MDmesh DM6 600V MOSFET」を発売した。ファスト・リカバリー・ボディー・ダイオードの内蔵に加えて、同社独自の「キャリアー・ライフ・タイム制御技術」も搭載しているため、逆回復時間(trr)を最小限に抑えられるという。従って、フリーホイール後のターンオフ時に、ダイオードでの消費電力を低減できるとしている。

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