米Efficient Power Conversion(EPC)社は、オン抵抗が25mΩ(最大値)と小さい+100V耐圧のGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタ「EPC2051」を発売した。同社は「エンハンストモードGaN (eGaN) FET」と呼ぶ。6個のCu(銅)ピラーを備える保護膜を形成したダイで供給する。実装面積が1.30mm×0.85mm(1.1mm2)と小さい。同社によると、「同様の仕様のSiパワーデバイスに比べると、実装面積を1/30に削減できる」という。コンピューターや通信機器などに向けた+48V入力のDC-DCコンバーターや、LiDAR(Light Detection and Ranging)、LED照明器具、D級(クラスD)オーディオ機器などに向ける。例えば、スイッチング周波数が500kHzで、出力電流が4AのDC-DCコンバーターに適用した場合、変換効率は97%を得られるという。

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