東芝メモリは、96層積層の3次元NANDフラッシュメモリーを搭載するSSD「XG6シリーズ」の開発を発表した(ニュースリリース1)。同社によれば、96層積層の3次元NANDフラッシュメモリーを搭載したSSDの開発は業界で初めてだという。

新製品の「XG6シリーズ」。東芝メモリの写真
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 新製品の「XG6シリーズ」は、PCI Express Gen3 x 4レーンとNVM Express 1.3aに対応したクライアント向けSSDである。同社の第4世代3次元フラッシュメモリー「BiCS FLASH」の技術(関連記事1)とSLCキャッシュの特性の組み合わせにより、前世代製品「XG5シリーズ」に対して性能を向上させた。シーケンシャル書き込み性能は最大2960Mバイト/秒で、「業界トップクラス」(同社)だとする。

 また、シーケンシャル読み出し性能は最大3180Mバイト/秒。ランダム読み出し性能は最大35万5000 IOPSで、ランダム書き込み性能は最大36万5000 IOPSである。高速化と共に低電力化も図った。動作時消費電力は最大4.7W。最も低電力な動作モードの待機電力は3mW。低消費電力が求められるモバイルPCなどに最適だという。

 新製品のXG6シリーズは、M.2 2280-S2の片面実装タイプのフォームファクタで、256Gバイト、512Gバイト、1024Gバイトという3種類の記憶容量のモデルをそろえる。また、TCG Opal Version 2.01を採用した自己暗号化機能付モデルも用意しており、性能を重視するウルトラモバイルPCからデータセンター・エンタープライズ環境のブート用途まで、幅広い分野に対応するという。

 XG6シリーズは、現在、一部のOEM顧客向けに出荷中。2018年第4四半期(10月~12月)以降、順次出荷を拡大していく予定とする。また、XG6シリーズは、2018年8月7日~9日に米国サンタクララで開催の「Flash Memory Summit 2018」の米Toshiba Memory America社ブースに展示される予定である。

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