米 Micron Technology社と米Intel社は、1Tビット/ダイと大容量なQLC(4bits/cell)タイプの第2世代 3D NANDフラッシュメモリーの出荷を始めた)。64層を積層する3D NANDである。両社によれば、1Tビット/ダイは、フラッシュメモリーとしては過去最大の集積度という。

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