米Cree社は、GaN(窒化ガリウム)パワー素子の特許ライセンスをオランダNexperia社に供与すると発表した。対象となる特許は、GaN材料を使ったHEMT(High Electron Mobility Transistor)とショットキー・バリアー・ダイオードなどの素子構造や材料、製造プロセス、パッケージングに関するものだ。米国とそれ以外の国々で取得した300を超える特許が含まれるという。今回の特許ライセンス供与は、排他的ではなく、技術移転に関する項目は含まれていない。なお、特許ライセンスを受けるNexperia社が支払う対価などは明らかにされていない。

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